العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLD6G21LS-50,112
BLD6G21LS-50,112
BLD6G21LS-50,112
رقم القطعة:
BLD6G21LS-50,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18755 Pieces
ورقة البيانات:
BLD6G21LS-50,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLD6G21LS-50,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLD6G21LS-50,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLD6G21LS-50,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:28V
الجهد - تقييمه:65V
نوع الترانزستور:LDMOS (Dual), Common Source
تجار الأجهزة حزمة:CDFM4
سلسلة:-
مخرج قوي:8W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-1130B
اسماء اخرى:568-8664-5
934063509112
BLD6G21LS-50,112-ND
BLD6G21LS50112
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:BLD6G21LS-50,112
ربح:14.5dB
تردد:2.02GHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 170mA 2.02GHz 14.5dB 8W CDFM4
وصف:RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B
التصويت الحالي:10.2A
الحالي - اختبار:170mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLD6G21LS-50,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLD6G22LS-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B تحقيق
AFT26HW050SR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4 تحقيق
BLD6G21L-50,112 Image BLD6G21L-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A تحقيق
BLD6G22L-50,112 Image BLD6G22L-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A تحقيق
ARF477FL Image ARF477FL Microsemi Corporation RF PWR MOSFET 500V 10A تحقيق
MAGX-000245-014000 M/A-Com Technology Solutions TRANSISTOR RF 14W GAN تحقيق
BLC9G24LS-170AVY Image BLC9G24LS-170AVY Ampleon USA Inc. TRANS RF 170W LDMOS DFM6F تحقيق
MRF8P9300HSR6 Image MRF8P9300HSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS تحقيق
IXZR08N120 Image IXZR08N120 IXYS RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 تحقيق
BLF6G38LS-100,112 Image BLF6G38LS-100,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502B تحقيق
MRF6S20010GNR1 Image MRF6S20010GNR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW تحقيق
ARF463BP1G Image ARF463BP1G Microsemi Corporation RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 تحقيق
MRF6S21140HR5 Image MRF6S21140HR5 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.12GHZ NI-880 تحقيق
BLA1011-10,112 Image BLA1011-10,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C تحقيق
MRF8P23160WHSR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.32GHZ NI780-4 تحقيق
PD85006TR-E Image PD85006TR-E STMicroelectronics FET RF 40V 870MHZ POWERSO-10RF تحقيق

Latest الأخبار