يشترى BLD6G22L-50,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLD6G22L-50,112
- رقم القطعة:
- BLD6G22L-50,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13122 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLD6G22L-50,112.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLD6G22L-50,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLD6G22L-50,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | CDFM4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 8W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-1130A |
| اسماء اخرى: | 568-8632 568-8632-5 568-8632-ND 934063511112 BLD6G22L-50,112-ND BLD6G22L50112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BLD6G22L-50,112 |
| ربح: | 14dB |
| تردد: | 2.14GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 170mA 2.14GHz 14dB 8W CDFM4 |
| وصف: | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A |
| التصويت الحالي: | 10.2A |
| الحالي - اختبار: | 170mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLD6G22L-50,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G22LS-220J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | تحقيق |
 |
BF556A,235 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 7MA SOT23 | تحقيق |
 |
A2T21S260-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLD6G21L-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A | تحقيق |
 |
MRF8P9300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS | تحقيق |
 |
SD2932B | STMicroelectronics | IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 | تحقيق |
 |
CE3521M4-C2 | CEL | RF FET 4V 20GHZ SOT343 | تحقيق |
 |
BLD6G22LS-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B | تحقيق |
|
MMRF1020-04GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G | تحقيق |
|
MW6S010GMR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | تحقيق |
 |
MMBFJ310LT3G | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA SOT23 | تحقيق |
 |
BLD6G21LS-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B | تحقيق |
 |
BF1202WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | تحقيق |
 |
PD85004 | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | تحقيق |
 |
MAGX-001214-250L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog