يشترى BLF6G24-180PN,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF6G24-180PN,112
- رقم القطعة:
- BLF6G24-180PN,112
- وصف:
- TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19243 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF6G24-180PN,112.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF6G24-180PN,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF6G24-180PN,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | - |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539A |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 50W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT539A |
| اسماء اخرى: | 934063604112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BLF6G24-180PN,112 |
| ربح: | 17.5dB |
| تردد: | 2GHz ~ 2.2GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 2GHz ~ 2.2GHz 17.5dB 50W SOT539A |
| وصف: | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF6G24-180PN,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
 |
MRF8P20160HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.92GHZ | تحقيق |
|
BLF6G27LS-100,118 | NXP USA Inc. | TRANS PWR LDMOS SOT502 | تحقيق |
 |
BLF6G20S-230PRN:11 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B | تحقيق |
 |
BLS7G3135L-350P,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A | تحقيق |
 |
MMRF1020-04NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4 | تحقيق |
|
BLF6G27LS-50BN,118 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
|
BLF6G20-230P | NXP USA Inc. | IC BASESTATION FINAL SOT502A | تحقيق |
 |
3SK264-5-TG-E | ON Semiconductor | FET RF 15V 200MHZ CP4 | تحقيق |
 |
2N5486 | Central Semiconductor Corp | JFET N-CH 25V 30MA TO92 | تحقيق |
 |
SD4933 | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177 | تحقيق |
|
BLF6G10LS-200,118 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | تحقيق |
 |
PD85006L-E | STMicroelectronics | TRANS RF POWER POWERFLAT5X5 | تحقيق |
 |
150-201N09A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | تحقيق |
|
BLF6G10LS-200,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog