BLF6G27LS-100,118 - NXP USA Inc. - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف BLF6G27LS-100,118

BLF6G27LS-100,118

رقم القطعة:: BLF6G27LS-100,118

الصانع:: NXP Semiconductors / Freescale

وصف:: TRANS PWR LDMOS SOT502

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 18477 Pieces

ورقة البيانات:: BLF6G27LS-100,118.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF6G27LS-100,118 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF6G27LS-100,118 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى BLF6G27LS-100,118 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	28V
الجهد - تقييمه:	65V
نوع الترانزستور:	LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:	LDMOST
سلسلة:	-
مخرج قوي:	14W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SOT-502A
اسماء اخرى:	934064318118
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	BLF6G27LS-100,118
ربح:	17dB
تردد:	2.5GHz ~ 2.7GHz
وصف موسع:	RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 14W LDMOST
وصف:	TRANS PWR LDMOS SOT502
التصويت الحالي:	29A
الحالي - اختبار:	900mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBLF6G27LS-100,118

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
BLF6G24-180PN,112	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A	تحقيق
BLF6G10LS-200,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B	تحقيق
BLF6G27LS-50BN,112	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B	تحقيق
AFT20P140-4WNR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4	تحقيق
BLF6G27LS-50BN,118	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B	تحقيق
PD85015STR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	تحقيق
BLF6G20-230P	NXP USA Inc.	IC BASESTATION FINAL SOT502A	تحقيق
BLC9G20XS-400AVT	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT12587	تحقيق
BLP05H6150XRY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	تحقيق
BLF6G20S-230PRN:11	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B	تحقيق
BLF6G10LS-200,118	NXP USA Inc.	FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار