BLF6G27LS-50BN,118 - NXP USA Inc. - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف BLF6G27LS-50BN,118

BLF6G27LS-50BN,118

رقم القطعة:: BLF6G27LS-50BN,118

الصانع:: NXP Semiconductors / Freescale

وصف:: TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 12460 Pieces

ورقة البيانات:: BLF6G27LS-50BN,118.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF6G27LS-50BN,118 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF6G27LS-50BN,118 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى BLF6G27LS-50BN,118 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	28V
الجهد - تقييمه:	65V
نوع الترانزستور:	LDMOS (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:	CDFM6
سلسلة:	-
مخرج قوي:	3W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SOT-1112B
اسماء اخرى:	934064687118
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	BLF6G27LS-50BN,118
ربح:	16.5dB
تردد:	2.5GHz ~ 2.7GHz
وصف موسع:	RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6
وصف:	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
التصويت الحالي:	12A
الحالي - اختبار:	430mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBLF6G27LS-50BN,118

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
PTFB092707FHV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	تحقيق
MPF102	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 20MA TO92	تحقيق
BLF6G20S-230PRN:11	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B	تحقيق
BLF6G10LS-200,118	NXP USA Inc.	FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B	تحقيق
BLF6G27LS-50BN,112	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B	تحقيق
BLF6G20-230P	NXP USA Inc.	IC BASESTATION FINAL SOT502A	تحقيق
BF904R,235	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	تحقيق
BLF6G24-180PN,112	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A	تحقيق
BLF6G27LS-100,118	NXP USA Inc.	TRANS PWR LDMOS SOT502	تحقيق
BLF6G10LS-200,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B	تحقيق
MRF8P20100HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار