يشترى BLF6H10L-160,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF6H10L-160,112
- رقم القطعة:
- BLF6H10L-160,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17163 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF6H10L-160,112.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF6H10L-160,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF6H10L-160,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 104V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT467C |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 38W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT467C |
| اسماء اخرى: | 934065657112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BLF6H10L-160,112 |
| ربح: | 20dB |
| تردد: | 952.5MHz ~ 957.5MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 600mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20dB 38W SOT467C |
| وصف: | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 600mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF6H10L-160,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6H10LS-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B | تحقيق |
 |
MRF282SR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2GHZ NI-200S | تحقيق |
 |
ARF443 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD | تحقيق |
|
A2T21S160-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLF7G20L-200,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | تحقيق |
 |
PD57006STR-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
BLC8G27LS-100AVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 | تحقيق |
 |
BLF6H10LS-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B | تحقيق |
 |
BF1212WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R | تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
PTAC260302FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 | تحقيق |
 |
SD56150 | STMicroelectronics | FET RF 65V 860MHZ M252 | تحقيق |
|
AFT21H350W03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog