العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLL6H0514-25,112
BLL6H0514-25,112
BLL6H0514-25,112
رقم القطعة:
BLL6H0514-25,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17955 Pieces
ورقة البيانات:
BLL6H0514-25,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLL6H0514-25,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLL6H0514-25,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLL6H0514-25,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:100V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:SOT467C
سلسلة:-
مخرج قوي:25W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:SOT467C
اسماء اخرى:568-7556
934063448112
BLL6H0514-25,112-ND
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
الصانع الجزء رقم:BLL6H0514-25,112
ربح:21dB
تردد:1.2GHz ~ 1.4GHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 50V 50mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 21dB 25W SOT467C
وصف:RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C
التصويت الحالي:2.5A
الحالي - اختبار:50mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLL6H0514-25,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLL6H1214P2S-250Z Image BLL6H1214P2S-250Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE تحقيق
CGHV1J070D Image CGHV1J070D Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 40V DIE تحقيق
BG 5130R E6327 Image BG 5130R E6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 تحقيق
BLL6H0514L-130,112 Image BLL6H0514L-130,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A تحقيق
BLL6H0514LS-130,11 Image BLL6H0514LS-130,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B تحقيق
BLL6H1214LS-500,11 Image BLL6H1214LS-500,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B تحقيق
PTFA181001EV4R250XTMA1 Image PTFA181001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 تحقيق
BLF6G10LS-200R,112 Image BLF6G10LS-200R,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT502B تحقيق
BLL6H1214L-250,112 Image BLL6H1214L-250,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A تحقيق
BLL6H1214LS-250,11 Image BLL6H1214LS-250,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B تحقيق
BLL6H1214-500,112 Image BLL6H1214-500,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A تحقيق
BLF6G20LS-180RN,11 Image BLF6G20LS-180RN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B تحقيق

Latest الأخبار