العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLL6H0514LS-130,11
BLL6H0514LS-130,11
BLL6H0514LS-130,11
رقم القطعة:
BLL6H0514LS-130,11
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16676 Pieces
ورقة البيانات:
BLL6H0514LS-130,11.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLL6H0514LS-130,11 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLL6H0514LS-130,11 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLL6H0514LS-130,11 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:100V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:CDFM2
سلسلة:-
مخرج قوي:130W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-1135B
اسماء اخرى:568-7558-5
934064571112
BLL6H0514LS-130,11-ND
BLL6H0514LS13011
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
الصانع الجزء رقم:BLL6H0514LS-130,11
ربح:17dB
تردد:1.2GHz ~ 1.4GHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 50V 50mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 130W CDFM2
وصف:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B
التصويت الحالي:18A
الحالي - اختبار:50mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLL6H0514LS-130,11

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLL6H1214LS-250,11 Image BLL6H1214LS-250,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B تحقيق
BLL6H0514L-130,112 Image BLL6H0514L-130,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A تحقيق
BLL6H0514-25,112 Image BLL6H0514-25,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C تحقيق
BLL6H1214LS-500,11 Image BLL6H1214LS-500,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B تحقيق
BLF7G20LS-90P,118 Image BLF7G20LS-90P,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B تحقيق
NE34018-64-A Image NE34018-64-A CEL FET RF 4V 2GHZ SOT-343 تحقيق
A2I25H060GNR1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
MRF5S21130HR5 Image MRF5S21130HR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 تحقيق
BLL6H1214P2S-250Z Image BLL6H1214P2S-250Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE تحقيق
NE5550779A-T1-A Image NE5550779A-T1-A CEL FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG تحقيق
BLL6H1214L-250,112 Image BLL6H1214L-250,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A تحقيق
BLL6H1214-500,112 Image BLL6H1214-500,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A تحقيق

Latest الأخبار