يشترى BLP10H610Z مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLP10H610Z
- رقم القطعة:
- BLP10H610Z
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18428 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLP10H610Z.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLP10H610Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLP10H610Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 104V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | 12-HVSON (5x6) |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 12-VDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 568-12810-6 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLP10H610Z |
| ربح: | 22dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 60mA 860MHz 22dB 10W 12-HVSON (5x6) |
| وصف: | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 60mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLP10H610Z
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H603Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP10H605Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
MHT1006NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W | تحقيق |
 |
PTFA092213ELV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | تحقيق |
|
BLP10H610AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLF7G15LS-300P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF145,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 65V 27DB SOT123A | تحقيق |
 |
BLP10H603AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLC8G27LS-240AVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 | تحقيق |
 |
MRF5P20180HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | تحقيق |
|
MRF7S18125AHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S | تحقيق |
|
BLP10H605AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
MRF19085LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog