يشترى BLP10H610AZ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLP10H610AZ
- رقم القطعة:
- BLP10H610AZ
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14284 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLP10H610AZ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLP10H610AZ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLP10H610AZ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 104V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | 12-HVSON (5x6) |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 12-VDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 568-12809-2 934068215531 BLP10H610AZ-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLP10H610AZ |
| ربح: | 22dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 60mA 860MHz 22dB 10W 12-HVSON (5x6) |
| وصف: | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 60mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLP10H610AZ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H610Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP10H605AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-100,118 | NXP USA Inc. | TRANS PWR LDMOS SOT502 | تحقيق |
|
BLP10H603Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
PTFB212507SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
J310RLRPG | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA TO92 | تحقيق |
|
BLP10H603AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270V,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLP10H605Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLF573,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A | تحقيق |
 |
CGHV40030F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 6GHZ 440166 | تحقيق |
 |
BLF2043F,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C | تحقيق |
 |
PTFA071701EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 170W H36248-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog