يشترى BLP8G27-5Z مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLP8G27-5Z
- رقم القطعة:
- BLP8G27-5Z
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13248 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLP8G27-5Z.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLP8G27-5Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLP8G27-5Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-HVSON (4x6) |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 750mW |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 16-VDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 568-12817-6 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLP8G27-5Z |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 2.14GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 55mA 2.14GHz 18dB 750mW 16-HVSON (4x6) |
| وصف: | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 55mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLP8G27-5Z
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | تحقيق |
 |
BLP8G21S-160PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | تحقيق |
 |
BLP8G10S-270PWY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | تحقيق |
 |
BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | تحقيق |
 |
ARF442 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD | تحقيق |
 |
BLP8G27-10Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | تحقيق |
 |
BLP8G05S-200GY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | تحقيق |
 |
LET20030C | STMicroelectronics | FET RF 80V 2GHZ M243 | تحقيق |
 |
BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | تحقيق |
|
ARF440 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD | تحقيق |
|
BLP8G10S-45PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | تحقيق |
 |
PD57006S | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | تحقيق |
 |
BLF546,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET 2 NC 65V 13DB SOT268A | تحقيق |
 |
BF1208,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 | تحقيق |
 |
BLF6G13LS-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B | تحقيق |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog