يشترى BLP8G10S-45PGY مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLP8G10S-45PGY
- رقم القطعة:
- BLP8G10S-45PGY
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12530 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLP8G10S-45PGY.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLP8G10S-45PGY ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLP8G10S-45PGY عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-HSOP |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 2.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width) |
| اسماء اخرى: | 568-12813-2 934067372518 BLP8G10S-45PGY-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLP8G10S-45PGY |
| ربح: | 20.8dB |
| تردد: | 952.5MHz ~ 957.5MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 224mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20.8dB 2.5W 4-HSOP |
| وصف: | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 224mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLP8G10S-45PGY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | تحقيق |
|
BLP8G10S-45PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | تحقيق |
 |
VRF2944 | Microsemi Corporation | MOSF RF N CH 170V 50A M177 | تحقيق |
 |
BLP8G10S-270PWY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | تحقيق |
 |
BLP8G27-10Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | تحقيق |
|
BLP8G27-5Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | تحقيق |
 |
BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | تحقيق |
 |
BLP8G21S-160PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | تحقيق |
 |
BLF6G15LS-500H,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLP8G05S-200GY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | تحقيق |
 |
BLD6G21LS-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B | تحقيق |
 |
BLF184XRGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C | تحقيق |
 |
BLF8G24L-200P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A | تحقيق |
 |
MRFE6P3300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 863MHZ NI-860C3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog