يشترى BLU6H0410L-600P,11 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLU6H0410L-600P,11
- رقم القطعة:
- BLU6H0410L-600P,11
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13066 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLU6H0410L-600P,11.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLU6H0410L-600P,11 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLU6H0410L-600P,11 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539A |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT539A |
| اسماء اخرى: | 934066103112 BLU6H0410L-600P11 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLU6H0410L-600P,11 |
| ربح: | 21dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 1.3A 860MHz 21dB 250W SOT539A |
| وصف: | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLU6H0410L-600P,11
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLU6H0410LS-600P,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLS6G2731S-120,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
MRF6S27085HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.66GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
MRF9180R6 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
NE5531079A-T1-A | CEL | FET RF 30V 460MHZ 79A | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-200V,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B | تحقيق |
 |
MRF9060LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | تحقيق |
 |
A2I20H060NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
MAGX-003135-120L00 | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 3.5GHZ | تحقيق |
 |
MRF158 | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 305A-01 | تحقيق |
 |
MD7P19130HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4 | تحقيق |
 |
CGHV27060MP | Cree/Wolfspeed | IC HEMT TRANS 60W 50V 2700MZ | تحقيق |
 |
ATF-53189-TR1 | Broadcom Limited | IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA SOT-89 | تحقيق |
 |
MRFE6S9125NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ TO-272-4 | تحقيق |
 |
PXAC201602FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog