يشترى BSD840N L6327 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSD840N L6327
- رقم القطعة:
- BSD840N L6327
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13804 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSD840N L6327.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSD840N L6327 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSD840N L6327 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 750mV @ 1.6µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT363-6 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 400 mOhm @ 880mA, 2.5V |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | SP000464874 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSD840N L6327 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 78pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.26nC @ 2.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 880mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSD840N L6327
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS8402DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | تحقيق |
 |
BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | تحقيق |
 |
APTM120TDU57PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P | تحقيق |
 |
NTJD5121NT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363 | تحقيق |
 |
VKM40-06P1 | IXYS | MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2 | تحقيق |
 |
MMDF2N02ER2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
2N7002PV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 | تحقيق |
 |
SI5948DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V CHIPFET | تحقيق |
 |
DMC1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN | تحقيق |
 |
SQJ946EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8 | تحقيق |
 |
2N7002VA-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 | تحقيق |
|
VQ1001P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | تحقيق |
 |
FDW2508PB | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP | تحقيق |
|
SI5922DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog