يشترى BSO220N03MD G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSO220N03MD G
- رقم القطعة:
- BSO220N03MD G
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13868 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSO220N03MD G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSO220N03MD G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSO220N03MD G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-DSO-8 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 22 mOhm @ 7.7A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | BSO220N03MD G-ND BSO220N03MD GTR BSO220N03MDG BSO220N03MDGXUMA1 SP000447478 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSO220N03MD G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 800pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSO220N03MD G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMS3019SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO | تحقيق |
 |
BSO220N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO | تحقيق |
 |
SI4900DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI7922DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 | تحقيق |
|
NDS9945 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
UP04979G0L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6 | تحقيق |
 |
APTMC60TLM14CAG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C | تحقيق |
|
APTM20AM05FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 | تحقيق |
 |
SI5519DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs | تحقيق |
 |
FDQ7236AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14-SOIC | تحقيق |
 |
GWM120-0075P3 | IXYS | MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog