يشترى SI7922DN-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI7922DN-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI7922DN-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13320 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI7922DN-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7922DN-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7922DN-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 195 mOhm @ 2.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.3W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| اسماء اخرى: | SI7922DN-T1-E3TR SI7922DNT1E3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI7922DN-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI7922DN-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMGD290XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP | تحقيق |
 |
SI7922DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 | تحقيق |
 |
SI3529DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP | تحقيق |
|
SI7925DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 | تحقيق |
 |
IXTL2X200N085T | IXYS | MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK | تحقيق |
 |
SI4900DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDS8958B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | تحقيق |
 |
IRF7389PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
|
SI7925DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 | تحقيق |
|
NDS9945 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
UP04979G0L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6 | تحقيق |
|
SI7923DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 | تحقيق |
|
SI7923DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 | تحقيق |
 |
IRF5852TR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog