العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > BSR202N L6327
BSR202N L6327
رقم القطعة:
BSR202N L6327
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16844 Pieces
ورقة البيانات:
BSR202N L6327.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSR202N L6327 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSR202N L6327 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSR202N L6327 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.2V @ 30µA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-SC-59
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:21 mOhm @ 3.8A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):500mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:BSR202N L6327-ND
BSR202N L6327TR
BSR202NL6327
BSR202NL6327HTSA1
SP000257784
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:BSR202N L6327
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1147pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8.8nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 20V 3.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC-59
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBSR202N L6327

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
NVTFS4C05NWFTAG Image NVTFS4C05NWFTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 22A U8FL تحقيق
IRFP4332PBF Image IRFP4332PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC تحقيق
SI4412ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC تحقيق
SIE848DF-T1-GE3 Image SIE848DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK تحقيق
IPD50N10S3L16ATMA1 Image IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3 تحقيق
DMG7401SFG-7 Image DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 تحقيق
TK31E60W,S1VX Image TK31E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 تحقيق
NTTFS5C673NLTAG Image NTTFS5C673NLTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 تحقيق
CSD25401Q3 Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON تحقيق
IPS12CN10LGBKMA1 Image IPS12CN10LGBKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11 تحقيق
DMN10H120SFG-7 Image DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI تحقيق
IXTR90P10P Image IXTR90P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247 تحقيق
FQP16N15 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220 تحقيق
HUF76629D3ST_F085 Image HUF76629D3ST_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 20A DPAK تحقيق
R6009ENX Image R6009ENX Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220 تحقيق
CSD17551Q3A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON تحقيق
IXTA180N10T Image IXTA180N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 تحقيق
STL26NM60N Image STL26NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT تحقيق
IRFU020PBF Image IRFU020PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK تحقيق
FDA62N28 Image FDA62N28 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P تحقيق

Latest الأخبار