يشترى LND150N8-G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
LND150N8-G
- رقم القطعة:
- LND150N8-G
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12752 Pieces
- ورقة البيانات:
- LND150N8-G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل LND150N8-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك LND150N8-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-89-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.6W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| اسماء اخرى: | LND150N8-G-ND LND150N8-GTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | LND150N8-G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 10pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 30mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-89-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLND150N8-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MGSF1P02LT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23 | تحقيق |
 |
LND150N3-G-P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
|
LND150N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
 |
APT20M38BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | تحقيق |
 |
IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK | تحقيق |
|
LND150N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
|
LND150N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
 |
IXTY2N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA | تحقيق |
 |
LND150K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | تحقيق |
 |
SUD19N20-90-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 19A DPAK | تحقيق |
|
LND150N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
 |
DMN2400UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN | تحقيق |
 |
NTD6416AN-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A IPAK | تحقيق |
 |
IRFP22N60KPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog