يشترى CE3512K2-C1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CE3512K2-C1
- رقم القطعة:
- CE3512K2-C1
- وصف:
- RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15350 Pieces
- ورقة البيانات:
- CE3512K2-C1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CE3512K2-C1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CE3512K2-C1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 2V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| نوع الترانزستور: | pHEMT FET |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-Micro-X |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 125mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-Micro-X |
| اسماء اخرى: | CE3512K2-C1TR |
| الضوضاء الشكل: | 0.5dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CE3512K2-C1 |
| ربح: | 13.7dB |
| تردد: | 12GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X |
| وصف: | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX |
| التصويت الحالي: | 15mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCE3512K2-C1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CGH80030D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | تحقيق |
 |
NE651R479A-A | CEL | FET RF 8V 1.9GHZ 79A | تحقيق |
 |
BF998,215 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B | تحقيق |
 |
CE3512K2 | CEL | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX | تحقيق |
 |
IXZR08N120A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
 |
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | تحقيق |
 |
CE3514M4-C2 | CEL | RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT343 | تحقيق |
 |
MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | تحقيق |
 |
MRF8HP21130HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 | تحقيق |
|
CE3514M4 | CEL | RF FET 4V 12GHZ SOT343 | تحقيق |
 |
MRF275L | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 333-04 | تحقيق |
 |
BLF8G10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | تحقيق |
|
A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANS CELL | تحقيق |
|
MRF281ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog