يشترى DSI30-12AS مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSI30-12AS
- رقم القطعة:
- DSI30-12AS
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15436 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSI30-12AS.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSI30-12AS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSI30-12AS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.29V @ 30A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263AB (D²PAK) |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | DSI30-12ASTR DSI3012AS |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DSI30-12AS |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 30A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 40µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 30A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 10pF @ 400V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSI30-12AS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CD1408-F1800 | Bourns Inc. | DIODE GEN PURP 800V 1A 1408 | تحقيق |
 |
GP10DHM3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | تحقيق |
 |
DSI30-16AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
JANTX1N3612 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
DSI30-16A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC | تحقيق |
 |
DSI30-12AC | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
SURA8130T3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 300V 1A SMA | تحقيق |
|
GP10F-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL | تحقيق |
 |
MR754RL | ON Semiconductor | DIODE GP 400V 6A MICRODE BUTTON | تحقيق |
|
DSI30-08AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | تحقيق |
 |
JANTX1N3595A-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 | تحقيق |
 |
1N4933 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | تحقيق |
|
DSI30-08AC | IXYS | DIODE GEN 800V 30A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
DSI30-16AS-TUBE | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-12AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
MPG06D-E3/100 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06 | تحقيق |
|
DSI30-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI30-08A | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI30-16AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-08AS | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog