يشترى DSI30-16AS-TUB مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSI30-16AS-TUB
- رقم القطعة:
- DSI30-16AS-TUB
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18348 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSI30-16AS-TUB.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSI30-16AS-TUB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSI30-16AS-TUB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.29V @ 30A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1600V (1.6kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263AB (D²PAK) |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | DSI30-16AS-ND DSI3016AS |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | DSI30-16AS-TUB |
| وصف موسع: | Diode Standard 1600V (1.6kV) 30A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 40µA @ 1600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 30A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 10pF @ 400V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSI30-16AS-TUB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSI30-12AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-08AS | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-16AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
VS-1EFH01W-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A SMF | تحقيق |
 |
DSI30-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI30-16A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC | تحقيق |
 |
R9G01022XX | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1KV 2200A DO200AB | تحقيق |
 |
NTS12120EMFST3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 120V 12A 5DFN | تحقيق |
|
DSI30-12AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
VS-10BQ100TRPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB | تحقيق |
 |
DSI30-12AC | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
DSI30-16AS-TUBE | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
1N5399GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204 | تحقيق |
|
S2J-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 600V DO-214AA | تحقيق |
 |
GP10T-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL | تحقيق |
 |
STPR120A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | تحقيق |
 |
VS-86HF80M | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURPOSE 85A DO-5 | تحقيق |
|
DSI30-08AC | IXYS | DIODE GEN 800V 30A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
DSI30-08A | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI30-08AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog