يشترى EPC2110ENGRT مع BYCHPS
شراء مع ضمان
EPC2110ENGRT
- رقم القطعة:
- EPC2110ENGRT
- الصانع:
- EPC
- وصف:
- TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14376 Pieces
- ورقة البيانات:
- EPC2110ENGRT.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC2110ENGRT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC2110ENGRT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 700µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سلسلة: | eGaN® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 4A, 5V |
| السلطة - ماكس: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | 917-EPC2110ENGRTR EPC2110ENGR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | EPC2110ENGRT |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 80pF @ 60V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.8nC @ 5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET الميزة: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 120V |
| وصف: | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEPC2110ENGRT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | تحقيق |
 |
DMC1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN | تحقيق |
 |
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | تحقيق |
|
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE | تحقيق |
|
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | تحقيق |
 |
VKM40-06P1 | IXYS | MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2 | تحقيق |
 |
2N7002VA-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 | تحقيق |
|
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE | تحقيق |
|
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | تحقيق |
 |
APTM120TDU57PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P | تحقيق |
 |
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | تحقيق |
 |
MMDF2N02ER2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC | تحقيق |
|
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | تحقيق |
|
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog