EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
رقم القطعة:
EPC2106ENGRT
الصانع:
EPC
وصف:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14070 Pieces
ورقة البيانات:
EPC2106ENGRT.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC2106ENGRT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC2106ENGRT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى EPC2106ENGRT مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 600µA
تجار الأجهزة حزمة:Die
سلسلة:eGaN®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:70 mOhm @ 2A, 5V
السلطة - ماكس:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:Die
اسماء اخرى:917-EPC2106ENGRTR
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:EPC2106ENGRT
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:75pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:0.73nC @ 5V
نوع FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET الميزة:GaNFET (Gallium Nitride)
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.7A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات