يشترى EPC2106ENGRT مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 600µA |
---|---|
تجار الأجهزة حزمة: | Die |
سلسلة: | eGaN® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 70 mOhm @ 2A, 5V |
السلطة - ماكس: | - |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | Die |
اسماء اخرى: | 917-EPC2106ENGRTR |
درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | EPC2106ENGRT |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 75pF @ 50V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.73nC @ 5V |
نوع FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET الميزة: | GaNFET (Gallium Nitride) |
وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
وصف: | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.7A |
Email: | [email protected] |