العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > FCB20N60FTM
FCB20N60FTM
FCB20N60FTM
رقم القطعة:
FCB20N60FTM
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17692 Pieces
ورقة البيانات:
FCB20N60FTM.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FCB20N60FTM ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FCB20N60FTM عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FCB20N60FTM مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D²PAK (TO-263AB)
سلسلة:SuperFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:190 mOhm @ 10A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):208W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:FCB20N60FTMTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:9 Weeks
الصانع الجزء رقم:FCB20N60FTM
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3080pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:98nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFCB20N60FTM

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
FCB20N60_F085 Image FCB20N60_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK تحقيق
IPP200N15N3GHKSA1 Image IPP200N15N3GHKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 تحقيق
SI3456CDV-T1-E3 Image SI3456CDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP تحقيق
FCB20N60TM Image FCB20N60TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK تحقيق
STP9NM50N Image STP9NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220 تحقيق
SIHH24N65EF-T1-GE3 Image SIHH24N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK تحقيق
FCB20N60F_F085 Image FCB20N60F_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB تحقيق
CSD16410Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON تحقيق
IXTP50N25T Image IXTP50N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 تحقيق
SSM3K310T(TE85L,F) Image SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS تحقيق
SI7403BDN-T1-E3 Image SI7403BDN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 تحقيق
IRFB7730PBF Image IRFB7730PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 195A TO220 تحقيق
ZVNL110ASTZ Image ZVNL110ASTZ Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 تحقيق
FDP18N20F Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 تحقيق

Latest الأخبار