يشترى FCB20N60F_F085 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FCB20N60F_F085
- رقم القطعة:
- FCB20N60F_F085
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 20141 Pieces
- ورقة البيانات:
- FCB20N60F_F085.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FCB20N60F_F085 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FCB20N60F_F085 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D²PAK (TO-263AB) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 195 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 405W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | FCB20N60F_F085DKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FCB20N60F_F085 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2035pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 102nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 20A (Tc) 405W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFCB20N60F_F085
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STF4N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP., | تحقيق |
 |
FCB20N60_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | تحقيق |
|
FCB20N60FTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | تحقيق |
 |
RSS120N03TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | تحقيق |
 |
VN2222LL-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3 | تحقيق |
|
FCB20N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | تحقيق |
|
FQB30N06LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK | تحقيق |
 |
DMT2004UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020 | تحقيق |
 |
BUK951R6-30E,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | تحقيق |
 |
IPZ65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247-4 | تحقيق |
 |
SI3456BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP | تحقيق |
 |
AOD444 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | تحقيق |
 |
FDP8030L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A TO220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog