العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA52P10P
IXTA52P10P
IXTA52P10P
رقم القطعة:
IXTA52P10P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 100V 52A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17424 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA52P10P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA52P10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA52P10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA52P10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:PolarP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:50 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA52P10P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2845pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:60nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 100V 52A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET P-CH 100V 52A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA52P10P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
FDFS2P102A Image FDFS2P102A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC تحقيق
IRFP340 Image IRFP340 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC تحقيق
MMBFV170LT3G Image MMBFV170LT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23 تحقيق
STB14NM50N Image STB14NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK تحقيق
SI8817DB-T2-E1 Image SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT تحقيق
IXTA50N25T Image IXTA50N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 تحقيق
ZXMP2120G4TA Image ZXMP2120G4TA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223 تحقيق
SUD50P04-13L-GE3 Image SUD50P04-13L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 60A DPAK تحقيق
NVMFS5C430NT1G Image NVMFS5C430NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V SO8FL تحقيق
STY105NM50N Image STY105NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 110A MAX247 تحقيق
IXTA5N60P Image IXTA5N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK تحقيق
FQPF7P20 Image FQPF7P20 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F تحقيق
IXTA54N30T Image IXTA54N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 54A TO-263 تحقيق
RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor NCH 60V 12A MIDDLE POWER MOSFET تحقيق
IXTA50N20P Image IXTA50N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 50A TO-263 تحقيق
IXTA56N15T Image IXTA56N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 56A TO-263 تحقيق
BSP130,115 Image BSP130,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 تحقيق
IXTA5N50P Image IXTA5N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK تحقيق
IRFSL3307ZPBF Image IRFSL3307ZPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 120A TO-262 تحقيق
FDP18N50 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 تحقيق

Latest الأخبار