يشترى FQA18N50V2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FQA18N50V2
- رقم القطعة:
- FQA18N50V2
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16996 Pieces
- ورقة البيانات:
- FQA18N50V2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQA18N50V2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQA18N50V2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3P |
| سلسلة: | QFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 265 mOhm @ 10A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 277W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FQA18N50V2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3290pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 55nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-3P |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFQA18N50V2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM110N05-06L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 110A TO263 | تحقيق |
 |
SCT3040KLGC11 | Rohm Semiconductor | MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N | تحقيق |
 |
APT60M80L2VRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX | تحقيق |
 |
NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 | تحقيق |
 |
SUP85N10-10P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB | تحقيق |
 |
FQPF2N90 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F | تحقيق |
 |
IXTP130N065T2 | IXYS | MOSFET N-CH 65V 130A TO-220 | تحقيق |
 |
FQP4P40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 400V 3.5A TO-220 | تحقيق |
 |
IRF7460TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | تحقيق |
|
IXFP7N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 | تحقيق |
 |
SIS413DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
HAT2174H-EL-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK | تحقيق |
 |
FDS4072N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXTC130N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
2N7002BKT,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416 | تحقيق |
 |
NVD6416ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | تحقيق |
 |
IXFA5N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 5A TO-263AA | تحقيق |
|
IRFBC30S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | تحقيق |
|
FDP027N08B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 | تحقيق |
 |
IXTH1N200P3HV | IXYS | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog