FQI4N90TU
FQI4N90TU
رقم القطعة:
FQI4N90TU
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19398 Pieces
ورقة البيانات:
FQI4N90TU.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQI4N90TU ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQI4N90TU عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQI4N90TU مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.13W (Ta), 140W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:FQI4N90TU
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1100pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:30nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 900V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole I2PAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):900V
وصف:MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.2A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات