يشترى IGW30N100TFKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IGW30N100TFKSA1
- رقم القطعة:
- IGW30N100TFKSA1
- وصف:
- IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17128 Pieces
- ورقة البيانات:
- IGW30N100TFKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IGW30N100TFKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IGW30N100TFKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1000V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.9V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 600V, 30A, 16 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 33ns/535ns |
| تحويل الطاقة: | 3.8mJ |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO247-3 |
| سلسلة: | TrenchStop® |
| السلطة - ماكس: | 412W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IGW30N100TFKSA1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 217nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 1000V 60A 412W Through Hole PG-TO247-3 |
| وصف: | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 90A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 60A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIGW30N100TFKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGS4715DTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 650V D2-PAK | تحقيق |
 |
IGW30N60T | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | تحقيق |
 |
IXGR35N120C | IXYS | IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 53A 200W TO247 | تحقيق |
|
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3 | تحقيق |
 |
IXXX200N60C3 | IXYS | IGBT 600V 200A PLUS247 | تحقيق |
|
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | تحقيق |
 |
APT25GR120B | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 521W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4RC10UTRR | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | تحقيق |
 |
STGD3NB60SDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 48W DPAK | تحقيق |
|
IRG8CH106K10F | Infineon Technologies | IGBT 1200V 110A DIE | تحقيق |
 |
SGH15N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 24A 160W TO3P | تحقيق |
 |
SGW5N60RUFDTM | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 8A 60W D2PAK | تحقيق |
 |
IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog