يشترى IGW30N60TPXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IGW30N60TPXKSA1
- رقم القطعة:
- IGW30N60TPXKSA1
- وصف:
- IGBT 600V 53A 200W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17791 Pieces
- ورقة البيانات:
- IGW30N60TPXKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IGW30N60TPXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IGW30N60TPXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.8V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 400V, 30A, 10.5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 15ns/179ns |
| تحويل الطاقة: | 710µJ (on), 420µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO247-3 |
| سلسلة: | TrenchStop™ |
| السلطة - ماكس: | 200W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | SP001379674 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IGW30N60TPXKSA1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 130nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 600V 53A 200W Through Hole PG-TO247-3 |
| وصف: | IGBT 600V 53A 200W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 90A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 53A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIGW30N60TPXKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGB4715DPBF | Infineon Technologies | IGBT 650V TO-220AB | تحقيق |
 |
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | تحقيق |
|
IGW30N60T | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | تحقيق |
 |
IXST40N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 48A TO268 | تحقيق |
 |
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3 | تحقيق |
 |
FGPF45N45TTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 450V 51.6W TO220F | تحقيق |
|
IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 | تحقيق |
 |
RGT50TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 48A 174W TO-247N | تحقيق |
 |
NGTB40N65FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 650V 80A 366W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4PC40FD | Infineon Technologies | IGBT 600V 49A 160W TO247AC | تحقيق |
 |
IXGR50N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IXDH20N120D1 | IXYS | IGBT 1200V 38A 200W TO247AD | تحقيق |
|
IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 | تحقيق |
 |
IXGA16N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 40A 150W TO263 | تحقيق |
 |
SGP02N120XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog