يشترى IPB47N10S33ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB47N10S33ATMA1
- رقم القطعة:
- IPB47N10S33ATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15666 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB47N10S33ATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB47N10S33ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB47N10S33ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 2mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-2 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 33 mOhm @ 33A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 175W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IPB47N10S-33 IPB47N10S-33-ND IPB47N10S-33TR IPB47N10S-33TR-ND IPB47N10S33 SP000225702 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPB47N10S33ATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 105nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 47A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 47A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB47N10S33ATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AO4485 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC | تحقيق |
 |
CSD17577Q3A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON | تحقيق |
 |
GA50JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7 | تحقيق |
 |
IPB47N10SL-26 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | تحقيق |
 |
MCP87018T-U/MF | Microchip Technology | MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN | تحقيق |
|
IPB47N10SL26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | تحقيق |
 |
DMN24H3D5L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23 | تحقيق |
 |
PH5030AL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK | تحقيق |
 |
IRF730 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB | تحقيق |
 |
ZVP0120ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 | تحقيق |
 |
SIB437EDKT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6 | تحقيق |
|
IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 | تحقيق |
|
FDS7088N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog