يشترى IPB47N10SL26ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB47N10SL26ATMA1
- رقم القطعة:
- IPB47N10SL26ATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16465 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB47N10SL26ATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB47N10SL26ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB47N10SL26ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 2mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-2 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 26 mOhm @ 33A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 175W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IPB47N10SL-26 IPB47N10SL-26-ND IPB47N10SL-26TR IPB47N10SL-26TR-ND IPB47N10SL26 SP000225701 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPB47N10SL26ATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 135nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 47A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 47A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB47N10SL26ATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | تحقيق |
 |
IRFB13N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB | تحقيق |
 |
FDB3502 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB | تحقيق |
|
IPB47N10SL-26 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | تحقيق |
 |
RTQ020N03TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 | تحقيق |
|
IPB47N10S33ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | تحقيق |
 |
IRFR220,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK | تحقيق |
 |
IXTH360N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 | تحقيق |
 |
FDG313N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 | تحقيق |
 |
SI2337DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IRF737LCL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262 | تحقيق |
 |
STP17N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 15A TO-220 | تحقيق |
 |
SIS452DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK | تحقيق |
 |
RJK2076DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 200V 20A WPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog