العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPB47N10SL-26
IPB47N10SL-26
IPB47N10SL-26
رقم القطعة:
IPB47N10SL-26
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19407 Pieces
ورقة البيانات:
IPB47N10SL-26.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB47N10SL-26 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB47N10SL-26 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB47N10SL-26 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 2mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3-2
سلسلة:SIPMOS®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:26 mOhm @ 33A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):175W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB47N10SL-26DKR
IPB47N10SL-26DKR-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPB47N10SL-26
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:135nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 47A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPB47N10SL-26

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPB47N10S33ATMA1 Image IPB47N10S33ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 تحقيق
BSS119L6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 تحقيق
FQA6N90_F109 Image FQA6N90_F109 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P تحقيق
IPB47N10S-33 Image IPB47N10S-33 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 تحقيق
IPB47N10SL26ATMA1 Image IPB47N10SL26ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 تحقيق
3LN01C-TB-H Image 3LN01C-TB-H ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP تحقيق
DMG4468LFG Image DMG4468LFG Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN تحقيق
FQNL2N50BTA Image FQNL2N50BTA Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3 تحقيق
IXFX12N90Q Image IXFX12N90Q IXYS MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247 تحقيق
IXFB90N85X Image IXFB90N85X IXYS 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P تحقيق
TP0606N3-G-P003 Microchip Technology MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 تحقيق
STB75NF20 Image STB75NF20 STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK تحقيق
SCH1337-TL-W Image SCH1337-TL-W ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 2A SOT563 تحقيق

Latest الأخبار