العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPD30N06S4L23ATMA2
IPD30N06S4L23ATMA2
IPD30N06S4L23ATMA2
رقم القطعة:
IPD30N06S4L23ATMA2
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15948 Pieces
ورقة البيانات:
IPD30N06S4L23ATMA2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD30N06S4L23ATMA2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD30N06S4L23ATMA2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD30N06S4L23ATMA2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 10µA
فغس (ماكس):±16V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3-11
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:23 mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):36W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD30N06S4L23ATMA2TR
SP001028638
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:26 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD30N06S4L23ATMA2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1560pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:21nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPD30N06S4L23ATMA2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPD30N06S2L23ATMA1 Image IPD30N06S2L23ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N06S4L23ATMA1 Image IPD30N06S4L23ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N06S2L13ATMA4 Image IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N06S223ATMA1 Image IPD30N06S223ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N06S2L-13 Image IPD30N06S2L-13 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N06S2L23ATMA3 Image IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N06S223ATMA2 Image IPD30N06S223ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N06S215ATMA2 Image IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N08S2L-21 Image IPD30N08S2L-21 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N03S2L07ATMA1 Image IPD30N03S2L07ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N06S2-15 Image IPD30N06S2-15 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 تحقيق
IPD30N03S2L20ATMA1 Image IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 تحقيق

Latest الأخبار