IPD30N06S2L23ATMA1
IPD30N06S2L23ATMA1
رقم القطعة:
IPD30N06S2L23ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15779 Pieces
ورقة البيانات:
IPD30N06S2L23ATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD30N06S2L23ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD30N06S2L23ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD30N06S2L23ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 50µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:23 mOhm @ 22A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):100W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD30N06S2L-23
IPD30N06S2L-23-ND
IPD30N06S2L-23TR-ND
IPD30N06S2L23
SP000252168
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPD30N06S2L23ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1091pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:42nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات