يشترى IPP77N06S212AKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPP77N06S212AKSA1
- رقم القطعة:
- IPP77N06S212AKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19391 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPP77N06S212AKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP77N06S212AKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP77N06S212AKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 93µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220-3-1 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 mOhm @ 38A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 158W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | IPP77N06S2-12 IPP77N06S2-12-ND SP000218172 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPP77N06S212AKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1770pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 77A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 77A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPP77N06S212AKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD15P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 | تحقيق |
 |
TK8A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS | تحقيق |
 |
NVTFS4823NWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 30A U8FL | تحقيق |
 |
AOL1712 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 16A 8ULTRASO | تحقيق |
 |
IPP77N06S212AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3 | تحقيق |
 |
STY130NF20D | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 130A MAX247 | تحقيق |
 |
IXTA6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK | تحقيق |
 |
DMG2302UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | تحقيق |
|
IPP77N06S3-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTP1R6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB | تحقيق |
 |
IXTQ200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P | تحقيق |
 |
SN7002N E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 | تحقيق |
 |
IRFU4620PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A IPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog