يشترى IXTA6N50D2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA6N50D2
- رقم القطعة:
- IXTA6N50D2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14291 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA6N50D2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA6N50D2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA6N50D2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXTA) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 500 mOhm @ 3A, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA6N50D2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 96nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA6N50D2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STU60N3LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 48A IPAK | تحقيق |
 |
IXTA60N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA6N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK | تحقيق |
 |
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | تحقيق |
 |
RTR025P02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 | تحقيق |
 |
ZXMN6A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 | تحقيق |
 |
RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 | تحقيق |
 |
IRL3103STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK | تحقيق |
|
IXTA6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK | تحقيق |
|
IXTA62N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 | تحقيق |
 |
IRF6655TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET | تحقيق |
 |
FCH077N65F_F155 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 54A TO247 | تحقيق |
 |
STD6NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK | تحقيق |
|
IXTA60N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA62N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 62A TO-263 | تحقيق |
 |
IPD12CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 | تحقيق |
 |
PSMN020-30MLCX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33 | تحقيق |
|
IXTA64N10L2 | IXYS | N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog