يشترى IRL520NL مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL520NL
- رقم القطعة:
- IRL520NL
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 10A TO-262
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17000 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRL520NL.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL520NL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL520NL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-262 |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | *IRL520NL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRL520NL |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 440pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Through Hole TO-262 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 10A TO-262 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL520NL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL520NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
FK3306010L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3 | تحقيق |
|
IRL520NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
SI3454ADV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-TSOP | تحقيق |
|
IRL520NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFK140N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 | تحقيق |
|
IRL520NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
|
IRL3302STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK | تحقيق |
 |
NTMS10P02R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFT80N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 | تحقيق |
|
IRL520NSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
BSZ130N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
IRL520NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB | تحقيق |
 |
TPH3R003PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog