يشترى IRL520NS مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL520NS
- رقم القطعة:
- IRL520NS
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17898 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRL520NS.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL520NS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL520NS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | *IRL520NS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRL520NS |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 440pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL520NS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL520NSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
|
IRL520NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
|
IRL520NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
SI2316DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IRL520NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB | تحقيق |
 |
TPH4R606NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV | تحقيق |
 |
IRL520NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A TO-262 | تحقيق |
 |
BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON | تحقيق |
|
IRL520NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 | تحقيق |
 |
IXTX40P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247 | تحقيق |
 |
HUF75307D3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 15A IPAK | تحقيق |
 |
BUK961R6-40E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | تحقيق |
 |
IRLR014NTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 10A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog