يشترى IRL520NSTRR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL520NSTRR
- رقم القطعة:
- IRL520NSTRR
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14031 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRL520NSTRR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL520NSTRR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL520NSTRR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRL520NSTRR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 440pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL520NSTRR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDD6632 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK | تحقيق |
 |
IRL520NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
|
IRL520NSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
|
STB19NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK | تحقيق |
|
IRL520NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
IRL520NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB | تحقيق |
 |
BUK929R1-60EJ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V DPAK | تحقيق |
 |
TK8P60W5,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 8A DPAK | تحقيق |
 |
IPI100N04S4H2AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1 | تحقيق |
|
IRL520NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
|
IRL520NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A TO-262 | تحقيق |
 |
FDC633N_F095 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-SSOT | تحقيق |
|
IRL3715 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB | تحقيق |
|
IRF9Z34S | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog