العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRL
رقم القطعة:
IXFA3N120TRL
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13954 Pieces
ورقة البيانات:
IXFA3N120TRL.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA3N120TRL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA3N120TRL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFA3N120TRL مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 1.5mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):200W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IXFA3N120TRLDKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFA3N120TRL
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1050pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:39nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V (1.2kV)
وصف:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFA3N120TRL

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFA36N30P3 Image IXFA36N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA تحقيق
IXFA34N65X2 Image IXFA34N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 34A TO-263 تحقيق
IXFK120N30T Image IXFK120N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 تحقيق
IXFA3N120 Image IXFA3N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 تحقيق
NTB75N03R Image NTB75N03R ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK تحقيق
IXFA3N80 Image IXFA3N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 تحقيق
BUZ31 E3045A Image BUZ31 E3045A Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 تحقيق
AOD210_001 Image AOD210_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 70A TO252 تحقيق
IRL520STRR Image IRL520STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK تحقيق
FDC634P Image FDC634P Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6 تحقيق
STW48N60DM2 Image STW48N60DM2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 40A تحقيق
IPP26CNE8N G Image IPP26CNE8N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 85V 35A TO-220 تحقيق
BUK7M10-40EX Image BUK7M10-40EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V MLFPAK تحقيق
GP1M008A025FG Image GP1M008A025FG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 250V 8A TO220F تحقيق
IRL1004L Image IRL1004L Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 تحقيق
SI5913DC-T1-GE3 Image SI5913DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 تحقيق
IXFA30N60X Image IXFA30N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 30A TO-263 تحقيق

Latest الأخبار