يشترى IXFA3N120 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFA3N120
- رقم القطعة:
- IXFA3N120
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19737 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFA3N120.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA3N120 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA3N120 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1.5mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXFA) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 200W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFA3N120 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1050pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 39nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFA3N120
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI8461DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | تحقيق |
 |
IXFA34N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 34A TO-263 | تحقيق |
 |
IXFA3N120TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | تحقيق |
 |
STP200N3LL | STMicroelectronics | N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120 | تحقيق |
 |
STP110N8F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
SIHG22N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC | تحقيق |
|
IXFA36N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA | تحقيق |
 |
PMF63UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323 | تحقيق |
 |
IRF6621TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | تحقيق |
|
STP24NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 | تحقيق |
 |
IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | تحقيق |
 |
2N7002P,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 | تحقيق |
 |
BUK7909-75ATE,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
SI7882DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
IXFA3N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 | تحقيق |
 |
IPP084N06L3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 | تحقيق |
 |
IRF740LCSTRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK | تحقيق |
|
IXFA30N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers