يشترى IXFA3N80 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFA3N80
- رقم القطعة:
- IXFA3N80
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14510 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFA3N80.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA3N80 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA3N80 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXFA) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 100W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFA3N80 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 685pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 24nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFA3N80
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS159N E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | تحقيق |
 |
BUK7212-55B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A DPAK | تحقيق |
 |
SI4636DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC | تحقيق |
|
2N7002-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | تحقيق |
 |
STD95N2LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 25V 80A DPAK | تحقيق |
 |
IXFA3N120TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | تحقيق |
 |
IPD04N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | تحقيق |
|
IXFA3N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | تحقيق |
 |
FDB4020P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB | تحقيق |
|
IXFA36N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA | تحقيق |
 |
IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO220 | تحقيق |
 |
AON1634 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN | تحقيق |
 |
IXFA34N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 34A TO-263 | تحقيق |
|
SI2324DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 | تحقيق |
 |
STB9NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK | تحقيق |
 |
NTHD3133PFT3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET | تحقيق |
|
SI2328DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IXFK26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264 | تحقيق |
 |
NTMFS4C50NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 46A SO8FL | تحقيق |
|
IXFA30N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog