يشترى IXFB110N60P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFB110N60P3
- رقم القطعة:
- IXFB110N60P3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13730 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFB110N60P3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB110N60P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB110N60P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS264™ |
| سلسلة: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 56 mOhm @ 55A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1890W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFB110N60P3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 18000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 245nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 110A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFB110N60P3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFB100N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | تحقيق |
 |
R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | NCH 600V 15A POWER MOSFET | تحقيق |
|
IXFB120N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264 | تحقيق |
 |
SIS439DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 | تحقيق |
|
IXFB150N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 | تحقيق |
 |
CZDM1003N TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 | تحقيق |
 |
FQP17N08 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220 | تحقيق |
 |
NTMFS4H013NFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL | تحقيق |
|
SI5482DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
 |
STB25NM50N-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK | تحقيق |
 |
RT1A040ZPTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4A TSST8 | تحقيق |
 |
IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3 | تحقيق |
 |
SIRA54DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A SO8 | تحقيق |
 |
IRFZ24SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK | تحقيق |
|
SI4668DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC | تحقيق |
|
IXFB132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 | تحقيق |
|
IXFB100N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | تحقيق |
 |
ZXMP4A16GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V SOT223 | تحقيق |
 |
BUK75150-55A,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 11A TO220AB | تحقيق |
|
IXFB170N30P | IXYS | MOSFET N-CH TO-264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog