العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFB120N50P2
IXFB120N50P2
IXFB120N50P2
رقم القطعة:
IXFB120N50P2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15210 Pieces
ورقة البيانات:
IXFB120N50P2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB120N50P2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB120N50P2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFB120N50P2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS264™
سلسلة:HiPerFET™, PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:43 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1890W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-264-3, TO-264AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFB120N50P2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:19000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:300nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 120A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFB120N50P2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFB132N50P3 Image IXFB132N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 تحقيق
IXFB100N50Q3 Image IXFB100N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 تحقيق
IXFB100N50P Image IXFB100N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 تحقيق
IPP80P04P4L06AKSA1 Image IPP80P04P4L06AKSA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH TO220-3 تحقيق
AOW11S60 Image AOW11S60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 600V 11A TO262 تحقيق
IXFL38N100P Image IXFL38N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK تحقيق
SPP24N60CFDHKSA1 Image SPP24N60CFDHKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-220 تحقيق
IXFB170N30P Image IXFB170N30P IXYS MOSFET N-CH TO-264 تحقيق
IRFB23N20DPBF Image IRFB23N20DPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB تحقيق
NTD3055-094G Image NTD3055-094G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 12A DPAK تحقيق
TK31J60W5,S1VQ Image TK31J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N) تحقيق
FQP12P10 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220 تحقيق
STP7N105K5 Image STP7N105K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 1050V 4A TO-220AB تحقيق
IXFB110N60P3 Image IXFB110N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 تحقيق
IRLU014N Image IRLU014N Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK تحقيق
AUIRFR3504 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 87A DPAK تحقيق
IXFC12N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220 تحقيق
GP2M012A060F Image GP2M012A060F Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 12A TO220F تحقيق
IXFB150N65X2 Image IXFB150N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 تحقيق
PSMN1R3-30YL,115 Image PSMN1R3-30YL,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK تحقيق

Latest الأخبار