العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFB150N65X2
IXFB150N65X2
IXFB150N65X2
رقم القطعة:
IXFB150N65X2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12754 Pieces
ورقة البيانات:
IXFB150N65X2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB150N65X2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB150N65X2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFB150N65X2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS264™
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:17 mOhm @ 75A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1560W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-264-3, TO-264AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFB150N65X2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:20400pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:430nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 150A (Tc) 1560W (Tc) Through Hole PLUS264™
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFB150N65X2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRF6617TRPBF Image IRF6617TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET تحقيق
DMN2550UFA-7B Image DMN2550UFA-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3 تحقيق
FK3503010L Image FK3503010L Panasonic Electronic Components MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3 تحقيق
FCP170N60 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 22A TO220 تحقيق
FQP6N60 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220 تحقيق
IXFK180N085 Image IXFK180N085 IXYS MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA تحقيق
FDD3706 Image FDD3706 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK تحقيق
2V7002LT1G Image 2V7002LT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3 تحقيق
IXFB120N50P2 Image IXFB120N50P2 IXYS MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264 تحقيق
IXFB100N50P Image IXFB100N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 تحقيق
PSMN017-30LL,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH QFN3333 تحقيق
BFL4026-1E Image BFL4026-1E ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 3.5A تحقيق
IXFB132N50P3 Image IXFB132N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 تحقيق
IXFB100N50Q3 Image IXFB100N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 تحقيق
STB18NF30 Image STB18NF30 STMicroelectronics MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK تحقيق
IRF9510SPBF Image IRF9510SPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK تحقيق
IXFB170N30P Image IXFB170N30P IXYS MOSFET N-CH TO-264 تحقيق
IXFB110N60P3 Image IXFB110N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 تحقيق
MTB50P03HDLG Image MTB50P03HDLG ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK تحقيق
IRFPE50 Image IRFPE50 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC تحقيق

Latest الأخبار