العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFH42N50P2
IXFH42N50P2
IXFH42N50P2
رقم القطعة:
IXFH42N50P2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 42A TO247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16543 Pieces
ورقة البيانات:
IXFH42N50P2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH42N50P2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH42N50P2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFH42N50P2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 4mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247AD (IXFH)
سلسلة:HiPerFET™, PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:145 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):830W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFH42N50P2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5300pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:92nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 42A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 42A TO247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:42A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFH42N50P2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX تحقيق
SIS488DN-T1-GE3 Image SIS488DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8 تحقيق
FDZ663P Image FDZ663P Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP تحقيق
IXFH40N30 Image IXFH40N30 IXYS MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD تحقيق
IXFH42N60P3 Image IXFH42N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 42A TO247 تحقيق
IXFH40N50Q Image IXFH40N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD تحقيق
IXFH40N85X Image IXFH40N85X IXYS MOSFET NCH 850V 40A TO247 تحقيق
IXFH40N50Q2 Image IXFH40N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 40A TO-247 تحقيق
IPP65R380C6XKSA1 Image IPP65R380C6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 تحقيق
FDN86265P Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT تحقيق
IXFH42N20 Image IXFH42N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 42A TO-247AD تحقيق
IXFH46N65X2 Image IXFH46N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 تحقيق
IXFH40N30Q Image IXFH40N30Q IXYS MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD تحقيق
IXFH400N075T2 Image IXFH400N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 تحقيق
DMN3029LFG-7 Image DMN3029LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 تحقيق
IXFH4N100Q Image IXFH4N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD تحقيق
IXFH44N50Q3 Image IXFH44N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 تحقيق
IXFH44N50P Image IXFH44N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 تحقيق

Latest الأخبار