العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFH4N100Q
IXFH4N100Q
IXFH4N100Q
رقم القطعة:
IXFH4N100Q
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12635 Pieces
ورقة البيانات:
IXFH4N100Q.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH4N100Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH4N100Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFH4N100Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 1.5mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247AD (IXFH)
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3 Ohm @ 2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):150W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFH4N100Q
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1050pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:39nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFH4N100Q

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRFP21N60L Image IRFP21N60L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC تحقيق
BSZ0902NS Image BSZ0902NS Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 تحقيق
IXFH40N30Q Image IXFH40N30Q IXYS MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD تحقيق
IXFH42N60P3 Image IXFH42N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 42A TO247 تحقيق
IXFH42N20 Image IXFH42N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 42A TO-247AD تحقيق
IXFH400N075T2 Image IXFH400N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 تحقيق
IXFH44N50P Image IXFH44N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 تحقيق
IXFH40N30 Image IXFH40N30 IXYS MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD تحقيق
FDMS86500DC Image FDMS86500DC Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN تحقيق
IXFH40N50Q2 Image IXFH40N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 40A TO-247 تحقيق
STF24N65M2 Image STF24N65M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP تحقيق
IXFH40N85X Image IXFH40N85X IXYS MOSFET NCH 850V 40A TO247 تحقيق
IXFH44N50Q3 Image IXFH44N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 تحقيق
IXFH46N65X2 Image IXFH46N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 تحقيق
IXFH40N50Q Image IXFH40N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD تحقيق
NTMFS5C430NLT1G Image NTMFS5C430NLT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL تحقيق
HUFA75309D3 Image HUFA75309D3 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 19A IPAK تحقيق
IPA60R250CPXKSA1 Image IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 تحقيق
SUM90142E-GE3 Image SUM90142E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK تحقيق
IXFH42N50P2 Image IXFH42N50P2 IXYS MOSFET N-CH 500V 42A TO247 تحقيق

Latest الأخبار