يشترى IXFH46N65X2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFH46N65X2
- رقم القطعة:
- IXFH46N65X2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13263 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFH46N65X2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH46N65X2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH46N65X2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 4mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 76 mOhm @ 23A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 660W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFH46N65X2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4810pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 75nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 46A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 46A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH46N65X2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH40N85X | IXYS | MOSFET NCH 850V 40A TO247 | تحقيق |
 |
IPD60R650CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | تحقيق |
 |
IRF640,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB | تحقيق |
 |
STP40NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 | تحقيق |
|
IXFH44N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH40N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD | تحقيق |
 |
SI4386DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTLJF4156NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | تحقيق |
|
IXFH40N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH42N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 42A TO247 | تحقيق |
|
IXFH400N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH40N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 40A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH42N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 42A TO247 | تحقيق |
 |
STD40NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 50A DPAK | تحقيق |
|
IXFH40N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH44N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH4N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD | تحقيق |
 |
CSD19536KTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 | تحقيق |
|
IXFH42N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 42A TO-247AD | تحقيق |
 |
NTD3055L104G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog