IXFR14N100Q2
IXFR14N100Q2
رقم القطعة:
IXFR14N100Q2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16814 Pieces
ورقة البيانات:
IXFR14N100Q2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFR14N100Q2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFR14N100Q2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFR14N100Q2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS247™
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.1 Ohm @ 7A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):200W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS247™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFR14N100Q2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:83nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 9.5A (Tc) 200W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات